台积电或年底推降耗3D芯片

　　据报道，晶圆代工大厂台积电或将于今年底前推出业内首款3D芯片推叠技术的半导体芯片产品。而此前英特尔曾表示其也将于今年底前量产采用3D晶体管技术的芯片，恰好与台积电此次推出3D芯片堆叠技术半导体芯片产品的时间点非常接近。
　　需要说明的一点是，台积电的3D芯片堆叠技术半导体芯片与英特尔的3D晶体管技术存在很大的区别，以TSV为核心的3D芯片堆叠技术主要在芯片的互联层做文章，通过在互联层中采用TSV技术来将各块芯片连接在一起，以达到缩小芯片总占地面积，减小芯片间信号传输距离的目的。而三门晶体管技术则是从芯片的核心部分--晶体管内部结构上进行改革。
　　不过，在增加芯片单位面积内的晶体管密度方面，3D芯片堆叠技术和三门晶体管技术均能起到正面的影响作用。3D芯片堆叠技术可以将芯片的晶体管密度等效增加到最大1000倍左右的水平，而且芯片的能耗则可降低50%左右。